台積電先進製程大躍進。(本報系資料庫) 分享 facebook 晶圓龍頭台積電(2330)先進製程技術再次向前大步躍進,
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,看好快充電源管理IC市場潛力,
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,協同合作夥伴戴樂格半導體(Dialog Semiconductor),
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,將於明年第1季推出首顆氮化鎵(GaN)手機快充晶片,
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,挑戰快充晶片龍頭德儀(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。喧騰已久氮化鎵製程,
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,台積電終於宣布跨入氮化鎵先進製程,
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,為合作客戶德商戴樂格量身打造,
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,採用6吋、0.5微米、650V矽上氮化鎵(GaN-On-Silicon)製程技術,
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,生產首顆氮化鎵手機快充晶片,預計在明年第1季產出,該晶片具備體積縮小、效能提高、充電時間減半等優勢,適用於手機及平板等行動快充,將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。據悉,台積電在氮化鎵領域布局已久,技術也相當成熟,不過,因客戶考量成本及下游應用問題,對氮化鎵製程需求不高,還是以傳統矽製程為主,因此,台積電也僅能按兵不動、等待時機。如今手機快充應用逐漸浮上檯面,手機晶片聯發科及高通相繼力推快充規格,展訊及海思也推出快充規格因應,而三星也推出支援Galaxy全系列智慧型手機的快充功能,蘋果也將加入快充行列,快充市場逐漸成熟,台積電適時大展拳腳。業界表示,採用氮化鎵製程生產晶片除可應用於手機快充,還可大幅縮減筆電外接電源供應器體積,未來應用於伺服器、車用及智慧電網等市場商機龐大。因此,相關電源管理IC解決方案的國際晶片大廠德儀、恩智浦及英飛凌等早已備妥相關電源管理IC方案,推出晶片多以氮化鎵製程生產,此次,台積電與戴格樂合作,除了挑戰霸主地位,更展現台積電在氮化鎵製程成熟技術,向相關電源管理IC廠客戶招手。,