富士通半導體明年量產氮化鎵功率元件

香港商富士通半導體台灣分公司20日宣布,

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,已成功透過矽基板氮化鎵(GaN)功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率,

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,並擴大電源供應的增值應用,

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,實現低碳能源社會。該GaN功率元件將於2013年下半年投入量產。
富士通半導體表示,

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,相較於傳統的矽功率元件,

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,GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性,

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,可支援高頻率運作。這些特性有助於提高電源供應器的轉換效率,

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,並可縮小體積,該公司計畫將矽基板GaN功率元件商用化,藉由增加矽晶圓直徑達到低成本量產的目標。,

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