聯電於今晚發出聲明,
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,對於遭美光控告妨礙營業秘密一事,
自然排序
,強力捍衛自身立場,
自然排序
,強調該公司不但擁有DRAM技術,
主機代管
,且從事相關技術開發合作,
系統建置
,只是單純商業交易,其DRAM技術基礎元件設計也與美光不同。聯電強調,該公司是國際公認、台灣起家的半導體公司,38年來,在全球的供應鏈上,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達14奈米。對比之下,美光爭執所涉DRAM技術是32奈米,在聯電的計畫啟動當時,已經是落後幾個世代的技術。 聯電認為,社會上有一種錯誤印象,認為該公司沒有任何DRAM的知識或經驗,但這不是事實,而且是極端的不實。從1996年到2010年,聯電積累了近15年製造DRAM產品的經驗,甚至在某個時間點,聯電內部DRAM團隊人數超過150人。聯電表示,該公司是一個有組織的企業機構,藉由堅實而穩定的團隊,掌握並保存豐富的DRAM知識和經驗。舉例來說,現任聯電共同總經理簡山傑,是1996年開發DRAM產品的RAM 製程開發經理,另一個實例則是Alliance公司是1996年第一個獲得聯電授權合作DRAM夥伴之一,該公司是一家總部位於美國的DRAM晶片設計公司,藉由聯電的技術進行DRAM製造。除了傳統的DRAM技術外,2009年聯電更成功開發自有的嵌入式DRAM製程技術,這比製造標準型DRAM的過程要複雜得多。聯電指出,該公司同意與晉華聯合開發DRAM製程,是一個與其晶圓專工服務完全分開的單獨項目,在作成決策當時,只是符合所有合理商業考量的單純商業交易,且已經向台灣的政府正式提出申請,主管機關也於2016年4月核准整個項目,當時還未聽聞有中美貿易戰。自從開始為晉華開發DRAM製程技術,履行合約義務,聯電提到,已經花費數億新台幣,儘管這個專案的研發團隊成員接近300人,但只有不到10%的人曾在美光工作過。聯電並強調,其DRAM技術基礎裡的元件設計,完全不同於美光公司的設計。聯電開發的記憶胞架構是3×2佈局的儲存單元,這與美光的2×3佈局儲存單元完全不同。外界另一錯誤印象是美光在美國開發25奈米DRAM技術,但事實是美光在2010年初,購買台灣的瑞晶和日本爾必達的25奈米DRAM技術。最後,聯電表示,不要「在報刊上」進行這場訴訟,但要向客戶和投資人保證,該公司對於任何子虛烏有的控訴與誤認事實的指責,將全力並積極地自我防衛。,