大陸紫光集團領銜投資240億美元的大陸首座3D NAND Flash廠「國家存儲器基地」一期一號廠房昨（28）日高調舉行儀式，
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，宣布在動土僅九個多月時間即提前封頂（上樑），
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，預計2018年就可投入使用。新華社與經濟參考網報導，
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，由紫光集團與大陸「國家集成電路產業投資基金」、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房昨日實現提前封頂。國家存儲器基地位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，
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，占地1，
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，968畝，
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，於2016年12月30日正式開工興建，
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，將建設三座全球單體面積最大的3D NAND Flash生產廠房。此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建築面積近16萬坪，預計於2018年投入使用。項目（一期）達產後，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。周四這場提前封頂儀式，包括紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國、湖北省副省長周先旺、武漢市長萬湧等人均親自出席。趙偉國指出，國家存儲器基地項目是中國集成電路存儲晶片產業規模化發展「零」的突破，相當於中國科技領域的「遼寧號」航空母艦出海試航。趙偉國表示，從現在開始到未來的五至十年，正是中國積體電路產業發展的最佳窗口期。「既然選擇了存儲晶片作為切入點和突破口，紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇，直面挑戰，知難而上，通過超常規的投入縮短發展周期，迅速登上全球存儲行業的競爭舞台。」新華社指出，存儲器（記憶體）是信息系統的基礎核心晶片，最能代表積體電路產業規模經濟效益和先進製造工藝，同時也是中國進口金額最大的積體電路產品。「國家存儲器項目落戶武漢，填補了此前國內集成電路產業的一塊空白。」經濟參考網則稱，該項目「承載了國家信息安全、產業安全的戰略使命」。，